微波与MEMS室是国内主要的大功率器件研制单位之一，具有一条4英寸0.5μm硅功率管设计研制生产线,可完成芯片设计、生产；匹配电路设计；集成电路封装；测试。生产线同时兼容0.8μm的MEMS工艺。主要从事硅功率管的生产研制及MEMS的工艺研发工作。可提供硅功率管,功放模块及所需管芯以满足日益增长的市场要求。
MEMS工艺线于2006年建成，拥有100级净化间50平方米，1000级净化间500平方米，是一条4英寸、0.5μm硅工艺的研发生产线。工艺线设备先进，关键工艺设备进口，可满足各种微电子和半导体工艺加工，主要工艺包括：
1、光刻工艺
备有多台STEPPER光刻机、双面光刻机及涂胶显影轨道，最小光刻线条为0.5μm，产能为60片/小时；
2、离子注入工艺
进口中束流离子注入机，可实现B、P、As等各种常规离子的注入工艺。
3、刻蚀工艺
多台进口和国产刻蚀设备，包括STS ICP Mutiplex 深槽刻蚀机，能够完成各种介质、金属及深硅刻蚀工艺。其中的深槽刻蚀最大深宽比达20：1，垂直度达89º±1º。
4、CVD工艺
CVD设备包括LPCVD和PECVD。LPCVD可实现SiO2、Si3N4、多晶硅的淀积工艺；PECVD为英国STS公司进口设备，可实现低温（300℃）、厚度较厚（最厚达20微米）SiO2、Si3N4及硼磷硅玻璃的淀积工艺。
5、氧化扩散工艺
多台氧化扩散设备可以实现干氧、湿氧、氢氧合成、各种温度退火、合金等工艺；
6、溅射工艺
进口美国KDF磁控溅射台，可实现Au/Ti/W/Pt四种金属溅射.
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