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BM9103MD 128K×8 SRAM存储器
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BM9103MD 128K×8 SRAM存储器
一、概述
28K×8 SRAM存储器是高速、低功耗CMOS128K×8 bits静态随机存取存储器电路。通过低电平有效的片选信号CEN1、高电平有效的片选信号CE2、低电平有效的输出使能信号OEN、以及三态驱动能力，该电路可以很方便地用于存储器扩展。
二、主要特性
● 存储容量：1M 位
● 电源电压：5 V ±10%
● 工作温度：-55℃～+125℃
● 电源电流：120mA
● 输入输出：TTL兼容
● 读写速率：33MHz
● 与MT5C1008CM基本兼容
三、封装形式
DIP32
四、质量等级
GJB 597A－96中规定的B1级
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